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SQM120N04-1M9_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 120A TO263

nicht konform

SQM120N04-1M9_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.65000 $1320
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8790 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SIDR402DP-T1-GE3
BUK9Y41-80E,115
2SK1459LS
2SK1459LS
$0 $/Stück
FDD86369-F085
FDD86369-F085
$0 $/Stück
IRFR430ATRLPBF
RD3T075CNTL1
NDB4060
NVH4L045N065SC1
NVH4L045N065SC1
$0 $/Stück
DMT6004SCT

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