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SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

compliant

SQM40020E_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.56000 $2.56
500 $2.5344 $1267.2
1000 $2.5088 $2508.8
1500 $2.4832 $3724.8
2000 $2.4576 $4915.2
2500 $2.432 $6080
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.33mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

PMZB150UNEYL
IXTA4N70X2
IXTA4N70X2
$0 $/Stück
BVSS123LT1G
BVSS123LT1G
$0 $/Stück
FCB070N65S3
FCB070N65S3
$0 $/Stück
FQB34N20TM
IRFP2907ZPBF
2N7002K-T1-E3

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