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SQS423EN-T1_GE3

SQS423EN-T1_GE3

SQS423EN-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8

compliant

SQS423EN-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.41697 -
6,000 $0.38991 -
15,000 $0.37638 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1975 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

IRFU2407
SIE822DF-T1-E3
FQU7P06TU_NB82048
FQU7P06TU_NB82048
$0 $/Stück
PMT21EN,115
PMT21EN,115
$0 $/Stück
AUIRF3805L-7P
2SJ661-DL-1E
2SJ661-DL-1E
$0 $/Stück
IRFZ30
IRFZ30
$0 $/Stück

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