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SQS481ENW-T1_GE3

SQS481ENW-T1_GE3

SQS481ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8

compliant

SQS481ENW-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.35595 -
6,000 $0.33285 -
15,000 $0.32130 -
30,000 $0.31500 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.095Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 385 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NTMS5P02R2
NTMS5P02R2
$0 $/Stück
SCTWA30N120
PSMN016-100BS,118
BUZ32
BUZ32
$0 $/Stück
DMT15H017SK3-13
IXTA70N075T2
IXTA70N075T2
$0 $/Stück
BSS123W-7-F
STB10LN80K5

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