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SQS660CENW-T1_GE3

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SQS660CENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

compliant

SQS660CENW-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.99000 $0.99
500 $0.9801 $490.05
1000 $0.9702 $970.2
1500 $0.9603 $1440.45
2000 $0.9504 $1900.8
2500 $0.9405 $2351.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11.2mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1950 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8W
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8W
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Zugehörige Teilenummer

DMP6350S-13
5HP01M-TL-E
5HP01M-TL-E
$0 $/Stück
IRF3205ZPBF
DMG4712SSS-13
BS107PSTZ
BS107PSTZ
$0 $/Stück
CSD17579Q5AT
FQB6N60TM
SQP50P03-07_GE3

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