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SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3

SQS966ENW-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CHAN 60V

compliant

SQS966ENW-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.39816 -
6,000 $0.37232 -
15,000 $0.35940 -
30,000 $0.35235 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.8nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 572pF @ 25V
Leistung - max. 27.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount, Wettable Flank
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8W Dual
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8W Dual
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Zugehörige Teilenummer

CSD87355Q5DT
FDG8850NZ
FDG8850NZ
$0 $/Stück
NTUD3170NZT5G
NTUD3170NZT5G
$0 $/Stück
FDMS3600AS
NX7002AKS,115
DMN6070SSD-13
BSO211PHXUMA1

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