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SUP70040E-GE3

SUP70040E-GE3

SUP70040E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

nicht konform

SUP70040E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.39000 $3.39
10 $3.02500 $30.25
100 $2.48050 $248.05
500 $2.00860 $1004.3
1,000 $1.69400 -
2,500 $1.60930 -
5,000 $1.54880 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SIB417EDK-T1-GE3
MTB4N50ET4
MTB4N50ET4
$0 $/Stück
HUFA75339P3
IRFU7740PBF
APT60M75JFLL
IXTH130N20T
IXTH130N20T
$0 $/Stück
SQJA12EP-T1_GE3
IXTT360N055T2
IXTT360N055T2
$0 $/Stück

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