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SUP80090E-GE3

SUP80090E-GE3

SUP80090E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB

compliant

SUP80090E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.50000 $3.5
10 $3.13500 $31.35
100 $2.59050 $259.05
500 $2.11860 $1059.3
1,000 $1.80400 -
2,500 $1.71930 -
5,000 $1.65880 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 128A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3425 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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