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VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

VQ1001P-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP

VQ1001P-E3 Technisches Datenblatt

compliant

VQ1001P-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 4 N-Channel
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 830mA
rds ein (max) @ id, vgs 1.75Ohm @ 200mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 110pF @ 15V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer -
Lieferantengerätepaket 14-DIP
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Zugehörige Teilenummer

FDMC8298
DMN3012LFG-13
GWM160-0055X1-SMD
GWM160-0055X1-SMD
$0 $/Stück

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