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NXPSC12650B6J

NXPSC12650B6J

NXPSC12650B6J

SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

NXPSC12650B6J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.86000 $6.86
500 $6.7914 $3395.7
1000 $6.7228 $6722.8
1500 $6.6542 $9981.3
2000 $6.5856 $13171.2
2500 $6.517 $16292.5
6298 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 12A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 12 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 80 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 380pF @ 1V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket D2PAK
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C (Max)
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Zugehörige Teilenummer

5821SMGE3/TR13
AES2GF-HF
AES2GF-HF
$0 $/Stück
ES8CC-HF
ES8CC-HF
$0 $/Stück
DCG10P1200HR
DCG10P1200HR
$0 $/Stück
UF3002-HF
UF3002-HF
$0 $/Stück
AU01AWS
AU01AWS
$0 $/Stück
SJPJ-L3
SJPJ-L3
$0 $/Stück
M0659LC450
M0659LC450
$0 $/Stück

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