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WNSC021200Q

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

WNSC021200Q Technisches Datenblatt

nicht konform

WNSC021200Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.51470 $1.5147
500 $1.499553 $749.7765
1000 $1.484406 $1484.406
1500 $1.469259 $2203.8885
2000 $1.454112 $2908.224
2500 $1.438965 $3597.4125
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 2A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.6 V @ 2 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 20 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 109pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-220-2
Lieferantengerätepaket TO-220AC
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C (Max)
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