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WNSC04650T6J

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

SOT-23

nicht konform

WNSC04650T6J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.17000 $2.17
500 $2.1483 $1074.15
1000 $2.1266 $2126.6
1500 $2.1049 $3157.35
2000 $2.0832 $4166.4
2500 $2.0615 $5153.75
1930 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 4A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 4 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 25 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 141pF @ 1V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-VSFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 5-DFN (8x8)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C (Max)
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