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WNSC10650T6J

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

nicht konform

WNSC10650T6J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.68000 $3.68
500 $3.6432 $1821.6
1000 $3.6064 $3606.4
1500 $3.5696 $5354.4
2000 $3.5328 $7065.6
2500 $3.496 $8740
2940 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 10A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 10 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 60 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 328pF @ 1V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-VSFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 5-DFN (8x8)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C (Max)
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Zugehörige Teilenummer

SMMSD914T1G
SMMSD914T1G
$0 $/Stück
RHRP30120-F102
RHRP30120-F102
$0 $/Stück
SCS210KGC
SCS210KGC
$0 $/Stück
FFSH3065A
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$0 $/Stück
1N1346RA
1N1346RA
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NRVTS10100EMFST1G
NRVTS10100EMFST1G
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