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WNSC10650WQ

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

WNSC10650WQ Technisches Datenblatt

compliant

WNSC10650WQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.12000 $3.12
500 $3.0888 $1544.4
1000 $3.0576 $3057.6
1500 $3.0264 $4539.6
2000 $2.9952 $5990.4
2500 $2.964 $7410
1170 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 10A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 10 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 60 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 328pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-2
Lieferantengerätepaket TO-247-2
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C
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Zugehörige Teilenummer

UFR8640
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$0 $/Stück
1N486A
1N486A
$0 $/Stück
UFR7010
UFR7010
$0 $/Stück
S42140TS
S42140TS
$0 $/Stück
1N4247US
1N4247US
$0 $/Stück
EU 1ZV
EU 1ZV
$0 $/Stück
UES1003SM-1
1N5813R
1N5813R
$0 $/Stück
JAN1N6628U/TR

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