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WNSC12650T6J

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

nicht konform

WNSC12650T6J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.94700 $1.947
500 $1.92753 $963.765
1000 $1.90806 $1908.06
1500 $1.88859 $2832.885
2000 $1.86912 $3738.24
2500 $1.84965 $4624.125
3000 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 12A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.8 V @ 12 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 60 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 328pF @ 1V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-VSFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 5-DFN (8x8)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C
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Zugehörige Teilenummer

1N6761/TR
DR206T/R
F15
F15
$0 $/Stück
1N6643U/TR
CD1A60
CD1A60
$0 $/Stück
MUR480GP-TP
UES704R
UES704R
$0 $/Stück
MUR2505R
R3560PF
R3560PF
$0 $/Stück

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