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WNSC201200WQ

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SILICON CARBIDE POWER DIODE

compliant

WNSC201200WQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $9.67670 $9.6767
500 $9.579933 $4789.9665
1000 $9.483166 $9483.166
1500 $9.386399 $14079.5985
2000 $9.289632 $18579.264
2500 $9.192865 $22982.1625
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 1200 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 20A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.6 V @ 20 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 220 µA @ 1200 V
Kapazität @ vr, f 1.02nF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-247-2
Lieferantengerätepaket TO-247-2
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C (Max)
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Zugehörige Teilenummer

1N1201R
1N1201R
$0 $/Stück
GN2MT/R
US5AB-HF
US5AB-HF
$0 $/Stück
JAN1N6627U/TR
R306030F
R306030F
$0 $/Stück
1N4500E3
1N4500E3
$0 $/Stück
W108CED180
W108CED180
$0 $/Stück

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