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WNSC2D08650TJ

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE

compliant

WNSC2D08650TJ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.23000 $1.23
500 $1.2177 $608.85
1000 $1.2054 $1205.4
1500 $1.1931 $1789.65
2000 $1.1808 $2361.6
2500 $1.1685 $2921.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 8A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 40 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 260pF @ 1V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-VSFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 5-DFN (8x8)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C
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Zugehörige Teilenummer

1N6858-1
1N6858-1
$0 $/Stück
R7203006XXOO
R7203006XXOO
$0 $/Stück
W4693QK050
W4693QK050
$0 $/Stück
A170RPD
A170RPD
$0 $/Stück
SD200SA30B.T
STPS2H100AFY
RH 1ZV
RH 1ZV
$0 $/Stück
USD535
USD535
$0 $/Stück
AU02AV0
AU02AV0
$0 $/Stück

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