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WNSC2D12650TJ

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

compliant

WNSC2D12650TJ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.60000 $3.6
500 $3.564 $1782
1000 $3.528 $3528
1500 $3.492 $5238
2000 $3.456 $6912
2500 $3.42 $8550
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 12A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.7 V @ 12 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 60 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 380pF @ 1V, 1MHz
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 4-VSFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 5-DFN (8x8)
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C
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