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WNSC6D08650Q

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SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE I

nicht konform

WNSC6D08650Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.01000 $3.01
500 $2.9799 $1489.95
1000 $2.9498 $2949.8
1500 $2.9197 $4379.55
2000 $2.8896 $5779.2
2500 $2.8595 $7148.75
2990 items
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Name Wert
Produktstatus Active
Diodentyp Silicon Carbide Schottky
Spannung - Gleichstromrückwärts (VR) (max.) 650 V
Strom - gleichgerichteter Durchschnitt (io) 8A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if 1.4 V @ 8 A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Sperrverzögerungszeit (trr) 0 ns
Strom - Rückwärtsleckage @ vr 50 µA @ 650 V
Kapazität @ vr, f 402pF @ 1V, 1MHz
Montageart Through Hole
Paket / Koffer TO-220-2
Lieferantengerätepaket TO-220AC
Betriebstemperatur - Kontaktstelle 175°C
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Zugehörige Teilenummer

1N2157
1N2157
$0 $/Stück
S3230
S3230
$0 $/Stück
ES01AV0
ES01AV0
$0 $/Stück
JANTXV1N3673A
FR606T-G
FR606T-G
$0 $/Stück
S3D03065L
S3D03065L
$0 $/Stück
HSM120JE3/TR13
R34130
R34130
$0 $/Stück

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