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C3M0015065D

C3M0015065D

C3M0015065D

Wolfspeed, Inc.

SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

C3M0015065D Technisches Datenblatt

compliant

C3M0015065D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $45.82000 $45.82
500 $45.3618 $22680.9
1000 $44.9036 $44903.6
1500 $44.4454 $66668.1
2000 $43.9872 $87974.4
2500 $43.529 $108822.5
708 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 55.8A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 3.6V @ 15.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 188 nC @ 15 V
vgs (max) +15V, -4V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5011 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 416W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STL12N65M2
STL12N65M2
$0 $/Stück
SI3493BDV-T1-GE3
CPH3457-TL-H
CPH3457-TL-H
$0 $/Stück
IXFQ30N60X
IXFQ30N60X
$0 $/Stück
AUIRFS8408-7P
IRF9620PBF-BE3
2N7002KQ-7

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