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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 200A (Tj) |
| rds ein (max) @ id, vgs | 6.9mOhm @ 200A, 15V |
| vgs(th) (max) @ ID | 3.6V @ 69mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 708nC @ 15V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 20.4nF @ 800V |
| Leistung - max. | 10mW (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Koffer | Module |
| Lieferantengerätepaket | - |
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