Welcome to ichome.com!
| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 450A |
| rds ein (max) @ id, vgs | 4.2mOhm @ 425A, 15V |
| vgs(th) (max) @ ID | 3.6V @ 115mA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 1135nC @ 15V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 30.7nF @ 800V |
| Leistung - max. | 50mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Chassis Mount |
| Paket / Koffer | Module |
| Lieferantengerätepaket | - |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.