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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200V (1.2kV) |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 1.015kA (Tc) |
rds ein (max) @ id, vgs | 1.73mOhm @ 760A, 15V |
vgs(th) (max) @ ID | 3.6V @ 280mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 2724nC @ 15V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 79400pF @ 800V |
Leistung - max. | 50mW |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Chassis Mount |
Paket / Koffer | Module |
Lieferantengerätepaket | Module |
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