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ALD1101BPAL

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MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

ALD1101BPAL Technisches Datenblatt

compliant

ALD1101BPAL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $5.63760 $281.88
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 10.6V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 75Ohm @ 5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 10µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 500mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Montageart Through Hole
Paket / Koffer 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket 8-PDIP
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Zugehörige Teilenummer

NTZD3154NT5G
NTZD3154NT5G
$0 $/Stück
SLA5060
SLA5060
$0 $/Stück
ECH8660-TL-H
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$0 $/Stück
DMN601VKQ-7
SQ4284EY-T1_GE3
NTMD6N02R2G
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$0 $/Stück
SH8M41TB1
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$0 $/Stück
FDMS3626S
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$0 $/Stück

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