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ALD1110ESAL

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MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

ALD1110ESAL Technisches Datenblatt

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ALD1110ESAL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $6.49860 $324.93
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 10V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 500Ohm @ 5V
vgs(th) (max) @ ID 1.01V @ 1µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2.5pF @ 5V
Leistung - max. 600mW
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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