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AO3160E

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MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3

AO3160E Technisches Datenblatt

nicht konform

AO3160E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
2969 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 500Ohm @ 16mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.2V @ 8µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9.5 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.39W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23A-3
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

2N7002TQ-7-F
STW21N150K5
FDMS86202ET120
FDMS86202ET120
$0 $/Stück
FDB035AN06A0
FDB035AN06A0
$0 $/Stück
FDD7N25LZTM
FDD7N25LZTM
$0 $/Stück
FQD4N25TM
AUIRF7665S2TR
RXL035N03TCR
CSD17382F4T
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$0 $/Stück
IRF9530PBF
IRF9530PBF
$0 $/Stück

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