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AO4914_101

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MOSFET 2N-CH 30V 8A

AO4914_101 Technisches Datenblatt

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AO4914_101 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 20.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 865pF @ 15V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NTLUD3A260PZTBG
NTLUD3A260PZTBG
$0 $/Stück
IRF7504TR
SP8K3TB
SP8K3TB
$0 $/Stück
FDG6301N-F085P
FDG6301N-F085P
$0 $/Stück
SIA513DJ-T1-GE3
SI3905DV-T1-GE3

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