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AOB2910L

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MOSFET N CH 100V 6A TO263

AOB2910L Technisches Datenblatt

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AOB2910L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,600 $0.52500 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 23.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1190 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFP4310ZPBF
IXFN520N075T2
IXFN520N075T2
$0 $/Stück
SIHB12N50C-E3
STWA75N60M6
IRFB3256PBF
DMN61D9UWQ-7
IXFA22N65X2-TRL
IXFA22N65X2-TRL
$0 $/Stück
SISH129DN-T1-GE3
CPH3360-TL-H
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$0 $/Stück

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