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IXFA22N65X2-TRL

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IXFA22N65X2-TRL

IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO263

compliant

IXFA22N65X2-TRL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.76000 $5.76
500 $5.7024 $2851.2
1000 $5.6448 $5644.8
1500 $5.5872 $8380.8
2000 $5.5296 $11059.2
2500 $5.472 $13680
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2190 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SISH129DN-T1-GE3
CPH3360-TL-H
CPH3360-TL-H
$0 $/Stück
SQM120N06-3M5L_GE3
LP0701N3-G
SUM80090E-GE3
NTMFS4122NT1G
NTMFS4122NT1G
$0 $/Stück
2SK3018-TP
STP16NF06
STP16NF06
$0 $/Stück
PMV30ENEAR
PMV30ENEAR
$0 $/Stück

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