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IXFA22N65X2-TRL

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 22A TO263

nicht konform

IXFA22N65X2-TRL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $5.76000 $5.76
500 $5.7024 $2851.2
1000 $5.6448 $5644.8
1500 $5.5872 $8380.8
2000 $5.5296 $11059.2
2500 $5.472 $13680
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2190 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SISH129DN-T1-GE3
CPH3360-TL-H
CPH3360-TL-H
$0 $/Stück
SQM120N06-3M5L_GE3
LP0701N3-G
SUM80090E-GE3
NTMFS4122NT1G
NTMFS4122NT1G
$0 $/Stück
2SK3018-TP
STP16NF06
STP16NF06
$0 $/Stück
PMV30ENEAR
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$0 $/Stück

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