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2SK3018-TP

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MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323

2SK3018-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

2SK3018-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06375 -
6,000 $0.05625 -
15,000 $0.04875 -
30,000 $0.04625 -
75,000 $0.04375 -
150,000 $0.04125 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V
rds ein (max) @ id, vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13 pF @ 5 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

STP16NF06
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$0 $/Stück
PMV30ENEAR
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$0 $/Stück
FKI06108
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$0 $/Stück
IXFH270N06T3
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$0 $/Stück
IXTA230N075T2
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SIR586DP-T1-RE3
FQPF8N60C
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