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FQPF8N60C

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

FQPF8N60C Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF8N60C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.89000 $1.89
10 $1.70900 $17.09
100 $1.37310 $137.31
500 $1.06800 $534
1,000 $0.88491 -
1996 items
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1255 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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