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SQM120N06-3M5L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 120A TO263

nicht konform

SQM120N06-3M5L_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $2.09005 $1672.04
1,600 $1.95072 -
2,400 $1.85318 -
5,600 $1.78351 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 330 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

LP0701N3-G
SUM80090E-GE3
NTMFS4122NT1G
NTMFS4122NT1G
$0 $/Stück
2SK3018-TP
STP16NF06
STP16NF06
$0 $/Stück
PMV30ENEAR
PMV30ENEAR
$0 $/Stück
FKI06108
FKI06108
$0 $/Stück
IXFH270N06T3
IXFH270N06T3
$0 $/Stück

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