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SUM80090E-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK

nicht konform

SUM80090E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.81500 $1452
1,600 $1.69400 -
2,400 $1.60930 -
5,600 $1.54880 -
2389 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 128A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3425 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS4122NT1G
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$0 $/Stück
2SK3018-TP
STP16NF06
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$0 $/Stück
PMV30ENEAR
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$0 $/Stück
FKI06108
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$0 $/Stück
IXFH270N06T3
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IXTA230N075T2
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SIR586DP-T1-RE3

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