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AOB411L

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MOSFET P-CH 60V 8A/78A TO263

AOB411L Technisches Datenblatt

compliant

AOB411L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.11264 $890.112
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta), 78A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 16.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 100 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6400 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 187W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/Stück
STF22N60DM6
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/Stück
SQS420EN-T1_GE3
R6520ENJTL
R6520ENJTL
$0 $/Stück
IRF9620SPBF
IRF9620SPBF
$0 $/Stück
IXTH15N50L2
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$0 $/Stück

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