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AOB66920L

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MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263

AOB66920L Technisches Datenblatt

compliant

AOB66920L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.53000 $2.53
500 $2.5047 $1252.35
1000 $2.4794 $2479.4
1500 $2.4541 $3681.15
2000 $2.4288 $4857.6
2500 $2.4035 $6008.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9020PBF
IRFR9020PBF
$0 $/Stück
FQU2N60TU
QS6U22TR
QS6U22TR
$0 $/Stück
RFD16N06LESM9A
RFD16N06LESM9A
$0 $/Stück
STF14N80K5
STF14N80K5
$0 $/Stück
STP60NF06FP
SI7108DN-T1-E3
DMP2104V-7
IRFP460APBF
IRFP460APBF
$0 $/Stück

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