Welcome to ichome.com!

logo
Heim

RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A

RFD16N06LESM9A

onsemi

MOSFET N-CH 60V 16A TO252AA

nicht konform

RFD16N06LESM9A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.67678 -
5,000 $0.64481 -
12,500 $0.62197 -
328 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V
rds ein (max) @ id, vgs 47mOhm @ 16A, 5V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 62 nC @ 10 V
vgs (max) +10V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1350 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 90W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

STF14N80K5
STF14N80K5
$0 $/Stück
STP60NF06FP
SI7108DN-T1-E3
DMP2104V-7
IRFP460APBF
IRFP460APBF
$0 $/Stück
DMN62D0UW-7
2N7002T-TP
AUIRLR3636TRL

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.