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DMN62D0UW-7

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DMN62D0UW-7

MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323

DMN62D0UW-7 Technisches Datenblatt

nicht konform

DMN62D0UW-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.05733 -
6,000 $0.05040 -
15,000 $0.04347 -
30,000 $0.04116 -
75,000 $0.03885 -
150,000 $0.03423 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 340mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 32 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 320mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

2N7002T-TP
AUIRLR3636TRL
FDU6692
FDA032N08
FDA032N08
$0 $/Stück
FCPF125N65S3
FCPF125N65S3
$0 $/Stück
C3M0065100J
C3M0065100J
$0 $/Stück
BUZ11-NR4941
BUZ11-NR4941
$0 $/Stück

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