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AOC4810

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MOSFET 2N-CH 8-DFN

AOC4810 Technisches Datenblatt

nicht konform

AOC4810 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1130pF @ 15V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-XFLGA Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-AlphaDFN (3.2x2)
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Zugehörige Teilenummer

SI8901EDB-T2-E1
DMC3061SVT-13
AUIRF7319Q
NTMD2P01R2
NTMD2P01R2
$0 $/Stück
SI4966DY-T1-GE3
SP8J1TB
SP8J1TB
$0 $/Stück
QS8M12TCR
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$0 $/Stück
VEC2616-TL-H-Z
VEC2616-TL-H-Z
$0 $/Stück

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