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SP8J1TB

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MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

SP8J1TB Technisches Datenblatt

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SP8J1TB Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A
rds ein (max) @ id, vgs 42mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16nC @ 5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1400pF @ 10V
Leistung - max. 2W
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP
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