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SI4276DY-T1-GE3

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SI4276DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

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SI4276DY-T1-GE3 Preise und Bestellung

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500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A
rds ein (max) @ id, vgs 15.3mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 26nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1000pF @ 15V
Leistung - max. 3.6W, 2.8W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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