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AOD4N60

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MOSFET N-CH 600V 4A TO252

AOD4N60 Technisches Datenblatt

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AOD4N60 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.40800 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 14.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 640 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

APT10026L2LLG
BUK9511-55A,127
BUK9511-55A,127
$0 $/Stück
SUD50P04-08-BE3
DMN62D1LFD-7
FDC5614P
FDC5614P
$0 $/Stück
IXTQ52P10P
IXTQ52P10P
$0 $/Stück
NDF08N50ZH
NDF08N50ZH
$0 $/Stück
MTP3055VL
MTP3055VL
$0 $/Stück

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