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DMN62D1LFD-7

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MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN

nicht konform

DMN62D1LFD-7 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 400mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4V
rds ein (max) @ id, vgs 2Ohm @ 100mA, 4V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.55 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 36 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket X1-DFN1212-3
Paket / Koffer 3-UDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDC5614P
FDC5614P
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IXTQ52P10P
IXTQ52P10P
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NDF08N50ZH
NDF08N50ZH
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MTP3055VL
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BUK6D22-30EX

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