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IPP60R950C6XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

nicht konform

IPP60R950C6XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
75989 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 37W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

BUK6D22-30EX
BSH105,235
BSH105,235
$0 $/Stück
FDD6680A
IRF250P225
STF8N90K5
STF8N90K5
$0 $/Stück
IXFK27N80Q
IXFK27N80Q
$0 $/Stück

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