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Name | Wert |
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Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6A (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 36mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 100µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 9.3 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 550 pF @ 10 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Ta) |
Betriebstemperatur | 175°C |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP-F |
Paket / Koffer | 6-SMD, Flat Leads |
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