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G65P06K

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P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.

G65P06K Technisches Datenblatt

nicht konform

G65P06K Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.49000 $1.49
500 $1.4751 $737.55
1000 $1.4602 $1460.2
1500 $1.4453 $2167.95
2000 $1.4304 $2860.8
2500 $1.4155 $3538.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 65A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5814 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/Stück
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H
$0 $/Stück

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