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IPB80N04S4L04ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 35µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4690 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/Stück
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H
$0 $/Stück
GKI07113
GKI07113
$0 $/Stück

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