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GKI07113

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MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN

GKI07113 Technisches Datenblatt

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GKI07113 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $0.46200 -
48 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9.1mOhm @ 27.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 57 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4040 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 77W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQD50034E_GE3
DMN4800LSS-13
MTD2N40E
MTD2N40E
$0 $/Stück
APT6029SLLG
TT8U2TR
TT8U2TR
$0 $/Stück
PSMN6R0-30YL,115
FDU8874

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