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IPD65R660CFDATMA1

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MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 200µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 615 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 62.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PSMN6R0-30YL,115
FDU8874
NTD4809NAT4G
NTD4809NAT4G
$0 $/Stück
STD7N52K3
STD7N52K3
$0 $/Stück
DMP6023LSS-13
FDA62N28
FDP8442
NVMFS5C612NLWFAFT3G
NVMFS5C612NLWFAFT3G
$0 $/Stück

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