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Name | Wert |
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Produktstatus | Not For New Designs |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 650 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 660mOhm @ 2.1A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 4.5V @ 200µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 22 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 615 pF @ 100 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 62.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Koffer | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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