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TT8U2TR

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MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

SOT-23

TT8U2TR Technisches Datenblatt

nicht konform

TT8U2TR Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.14570 -
6,000 $0.13630 -
15,000 $0.13160 -
700 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 850 pF @ 10 V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSST
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
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