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Name | Wert |
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Produktstatus | Not For New Designs |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 30 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 16A (Ta), 30A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 8mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.2V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 122.4 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±25V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 6140 pF @ 15 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 89W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TDSON-8-3 |
Paket / Koffer | 8-PowerVDFN |
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